Journal of Semiconductor Technology and Science

Journal of Semiconductor Technology and Science

J SEMICOND TECH SCI
影响因子:0.8
是否综述期刊:
是否预警:不在预警名单内
是否OA:
出版国家/地区:SOUTH KOREA
出版社:Institute of Electronics Engineers of Korea
发刊时间:0
发刊频率:
收录数据库:SCIE/Scopus收录
ISSN:1598-1657

期刊介绍

Journal of Semiconductor Technology and Science is published to provide a forum for R&D people involved in every aspect of the integrated circuit technology, i.e., VLSI fabrication process technology, VLSI device technology, VLSI circuit design and other novel applications of this mass production technology. When IC was invented, these people worked together in one place. However, as the field of IC expanded, our individual knowledge became narrower, creating different branches in the technical society, which has made it more difficult to communicate as a whole. The fisherman, however, always knows that he can capture more fish at the border where warm and cold-water meet. Thus, we decided to go backwards gathering people involved in all VLSI technology in one place.
《半导体技术与科学杂志》的出版为涉及集成电路技术各个方面的研发人员提供了一个论坛,超大规模集成电路制造工艺技术、超大规模集成电路器件技术、超大规模集成电路设计等新型应用的这种大规模生产技术。当IC发明时,这些人在一个地方一起工作。但是,随着IC领域的扩大,我们个人的知识面变得越来越窄,在技术社会中产生了不同的分支,这使得作为一个整体进行交流变得更加困难。然而,渔夫总是知道,他可以捕获更多的鱼在边界,温暖和寒冷的水相遇。因此,我们决定回到过去,把所有VLSI技术的相关人员集中在一个地方。
年发文量 66
国人发稿量 1.78
国人发文占比 0.03%
自引率 -
平均录取率0
平均审稿周期 较慢,6-12周
版面费 -
偏重研究方向 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED
期刊官网 http://www.koreascience.or.kr/journal/AboutJournal.jsp?kojic=E1STAN
投稿链接

期刊高被引文献

Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/JSTS.2019.19.2.184
Stability and Design Limits of Hysteretic Current-mode Switched-inductor Converters
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.4.321
A 1-V 4.6-μW/channel Fully Differential Neural Recording Front-end IC with Current-controlled Pseudoresistor in 0.18-μm CMOS
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.1.030
Newly Proposed Duty-generator-less Passive Down-conversion Mixer
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.4.426
Analysis and Modeling of Program Disturbance by Hot Carrier Injection in 3D NAND Flash Memory Using TCAD
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.6.571
A 2 GS/s, 6-bit DAC for UWB applications in 0.18 μm CMOS technology
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.6.517
Time Efficient Evaluation of Multi-axis MEMS Gyroscope Using Three-dimensional Test Methodology
来源期刊:Journal of Semiconductor Technology and ScienceDOI:10.5573/jsts.2019.19.6.600

质量指标占比

研究类文章占比 OA被引用占比 撤稿占比 出版后修正文章占比
100.00%---

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2023年01月发布的2023版不在预警名单中
2021年12月发布的2021版不在预警名单中
2020年12月发布的2020版不在预警名单中
*来源:中科院《 国际期刊预警名单》

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WOS分区等级:Q4区
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WOS期刊SCI分区是指SCI官方(Web of Science)为每个学科内的期刊按照IF数值排 序,将期刊按照四等分的方法划分的Q1-Q4等级,Q1代表质量最高,即常说的1区期刊。
(2024-2025年最新版)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q4

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PHYSICS, APPLIED 物理:应用
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工程技术4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区
2022年12月旧的升级版
工程技术4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用
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